Исследованы электрофизические свойства легированных бором приповерхностных слоев кремния при имплантации больших доз ионов N⁺ с энергией 200 кэВ. При измерениях проводимости и эффекта Холла на разных стадиях изохронного (t=10³ с, T = 700-1200^oC) и изотермического (t=10²-10⁵ с, T=800^oC) отжигов выявлен ряд важных эффектов: 1) накопление атомов бора у поверхности; 2) нейтрализация бора даже при уровнях легирования >10²⁰ см^-3; 3) появление донорных центров, один пик распределения которых соответствует распределению бора, а другой локализован на глубине максимальных упругих потерь ионов N⁺; 4) последовательные изменения типа проводимости приповерхностного слоя с ростом температуры или длительности отжигов. Эффекты объяснены распадом при отжигах пересыщенного раствора N в Si, сопровождающимся образованием преципитатов нитрида кремния, восстановлением нарушенной структуры и эмиссией подвижных точечных дефектов. Последние обусловливают ускоренную восходящую диффузию бора к поверхности. Сами атомы бора наряду с радиационными повреждениями являются центрами преципитации нитрида, причем бор в результате теряет свойства акцептора, а преципитаты вводят эквивалентное количество доноров. Изменения типа проводимости приповерхностного слоя в процессе отжигов связаны с последовательными образованием и распадом преципитатов, что определяется их размерами, температурой и уровнем пересыщения кремния азотом вокруг центров осаждения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.