Для популярных методов релаксационной спектроскопии границ раздела полупроводник-диэлектрик-метода термостимулированного разряда МДП конденсатора (ТРК) и методов изотермической релаксации тока (ИРТ) и емкости - рассмотрены особенности релаксационных сигналов, обусловленные опустошением многозарядных локализованных электронных состояний. На примере глубокого двухзарядного донорного уровня показано, что в зависимости от соотношения времен жизни носителей заряда на двухкратно (tau) и однократно (tau^*) заполненных центрах можно выделить три различных случая: tau<<tau^*, tau~tau^*, tau>>tau^*. В первом из них ИРТ носит экспоненциальный характер и определяется двумя постоянными времени: tau (начальная стадия) и tau^* (конечная стадия релаксации); ток ТРК j(T) описывает кривую с двумя максимумами. Во втором - tau~tau^* ИРТ неэкспоненциальна, а j(T) имеет вид изолированного пика с аномальным соотношением полуширин. При tau>>tau^* кривые ИРТ (или высокочастотной емкости) содержат на начальной стадии релаксации экстремумы, а на конечной - экспоненциально спадающую ветвь с постоянной времени tau; при этом форма кривой ТРК j(T) отвечает случаю разрядки моноэнергетического локального уровня. Наблюдение кривых изотермической релаксации с экстремумами - надежный критерий присутствия в исследуемых структурах двухзарядных глубоких центров различной природы, включая центры с отрицательной корреляционной энергией и отталкивающим барьером. В большинстве рассмотренных случаев на основе развитого аналитического аппарата могут быть определены параметры двухзарядных глубоких уровней.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.