Рассмотрены фотомагнитные эффекты в пленках магнитного полупроводника Eu_1-xSm_xO на кремниевой подложке p-типа проводимости при освещении белым светом до 100 лк при T=77 K. Обнаружено увеличение поперечного тока через пленку окисла редкоземельного элемента с ростом напряженности магнитного поля до 6.1 кГс. Полученная зависимость носит линейный характер. Изменение тока в магнитном поле от освещенности имеет максимум. Увеличение тока в магнитном поле с ростом освещенности L (при малых L) объясняется с точки зрения усиления обменного взаимодействия через фотоэлектроны проводимости, уменьшение тока связывается со снижением числа магнитных ионов в материале.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.