Изучено влияние нитридизации структуры кремний-диэлектрик в процессе изготовления МДП структур на профиль распределения электрически активных центров в приповерхностной области кремния, генерационное время жизни носителей заряда, плотность поверхностных состояний и их изменение при облучении гамма-квантами ⁶⁰Co. Исследовано влияние технологии получения кремния (выращенного по методу Чохральского и нейтронно-легированного) на электрофизические свойства границы раздела диэлектрик-полупроводник и их изменение при облучении. Установлено, что насыщение границы раздела кремний-диэлектрик азотом не ухудшает ее электрофизических свойств. В то же время в нитридизованных МДП структурах наблюдается эффективное подавление образования поверхностных состояний при облучении и соответственно уменьшение скорости деградации времени жизни неосновных носителей заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.