Исследовано влияние добавок гадолиния в жидкую фазу на состав мелких доноров и акцепторов в эпитаксиальном GaAs, полученном методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава на основе висмута. Установлено, что изменение электрофизических и люминесцентных свойств обусловлено уменьшением концентрации доноров серы и селена, элементов VI группы Периодической системы и незначительным уменьшением концентрации акцептора цинка. Обнаружено, что с добавлением гадолиния в расплав концентрация селена в слоях уменьшается быстрее, чем концентрация серы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.