Проведено исследование обнаруженного ранее эффекта высокотемпературных (80-200^oC) осцилляции фотопроводимости в пленках a-Si : H. Установлена корреляция между данным явлением и особенностями релаксационной кинетики в структурно-неоднородном материале. Показано, что параметры осцилляции контролируются диффузионным движением водорода между состояниями внутренних границ и объема материала, а их изменения во времени описываются законом растянутой экспоненты.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.