Фотоэлектрические свойства Co_xHg_1-xTe (x=0.20, 0.30) p-типа исследованы в низкотемпературном диапазоне, в котором рекомбинационные процессы определяются механизмом Шокли-Рида. Из полевых зависимостей фотомагнитного эффекта определена температурная зависимость подвижности электронов в p-Cd_xHg_1-xTe в диапазоне 4.2-200 K. Обнаружен захват электронов на уровни прилипания. Особенности спектральных характеристик фотопроводимости при низких температурах (T<30-40 K), заключающиеся в исчезновении длинноволнового максимума, объясняются механизмом захвата основных носителей тока-дырок па акцепторный уровень, а в случае инверсионного изгиба зон - процессами пространственного разделения носителей в приповерхностной области кристалла.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.