Наблюдаемая при температуре 2 K и одноосном давлении вдоль направления [111] или [110] двухступенчатая зависимость поляризации фотолюминесценции комплекса V_GaSn_Ga в GaAs от величины давления объяснена появлением при значениях давления, превосходящих некоторую критическую величину, дополнительного выстраивания, происходящего в группе комплексов V_GaSn_Ga с определенной ориентацией исходной оси V_Ga-Sn_Ga относительно направления давления. Такое выстраивание происходит при подавлении внешней одноосной деформацией возмущения состояния вакансии Ga, вызываемого атомом Sn, находящимся в ближайшем V_Ga узле подрешетки Ga. Обсуждены возможные причины отсутствия двухступенчатого выстраивания в комплексах V_GaTe_As.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.