Развита теория резонансного туннелирования электронов в трехбарьерной структуре с тонким внутренним барьером, в которой учтена обратная связь с самосогласованным электростатическим потенциалом. Рассчитанная вольт-амперная зависимость характеризуется сильной собственной бистабильностью в области напряжений, настроенных на резонанс с первым возбужденным электронным уровнем. Обсуждается спектр фотолюминесценции, излучаемой из двойной ямы, и анализируется различие в положении пика люминесценции на верхней и нижней ветвях гистерезисной петли.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.