Проведены низкотемпературные исследования оптических (4.2 K) и фотоэлектрических (78 K) свойств кристаллов Cd, легированных Fe (N_Fe=<10²⁰ см^-3) и Cd_1-xFe_xTe (x=<0.025). Установлено, что в кристаллах Cd_1-xFe_xTe имеют место значительные флуктуации концентрации атомов Fe. Существуют макроскопические области кристалла, где образуются полупроводниковые твердые растворы замещения, и которые находятся в объеме кристалла с очень неравномерным распределением Fe. Атомы Fe в исследуемых кристаллах находятся в основном в двухзарядовом состоянии. Определены концентрационная зависимость энергетического положения свободного экситона, а также положение основного состояния иона Fe²⁺ в CdTe (E_c-1.08 эВ). Показано, что кристаллы CdTe : Fe (N_Fe=10²⁰ см^-3) представляют собой твердые растворы замещения, которые значительно более однородны, чем Cd_1-xFe_xTe. Высокотемпературный отжиг кристаллов Cd_1-xFe_xTe в парах Cd приводит к разрушению областей твердого раствора замещения и образованию примесных кластеров. В случае кристаллов CdTe : Fe (N_Fe=10²⁰ см^-3) такой отжиг приводит к некоторому уменьшению концентрации Fe в твердом растворе и улучшению структуры кристаллов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.