Исследованы влияния продольного и поперечного магнитного поля H нa условия возбуждения и параметры колебаний тока в p-Si<S> с удельным сопротивлением rho>=q10³ Ом·см. Показано, что с ростом H величина порогового электрического поля, при котором возбуждаются колебания, линейно возрастает. При этом величина коэффициента пропорциональности повышалась с ростом rho (10^-3/10⁵ Ом·см), изменяясь в пределах 2.6/5.6 мВ/Э для поперечного и 2.0/54.0 мВ/Э продольного магнитного поля. Установлено, что с ростом H амплитуда колебаний тока линейно возрастает, а их частота линейно уменьшается. Результаты исследования колебаний тока и наблюдавшаяся в образцах Si<S> остаточная проводимость объясняется в модели случайного потенциального рельефа, обусловленного высокой степенью компенсации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.