Представлен обзор исследований в области технологии и физики тройных соединений типа II-IV-V₂, являющихся ближайшими кристаллохимическими и электронными аналогами полупроводников III-V. Обсуждены вопросы управления физическими параметрами этих полупроводников путем введения примесей, облучения высокоэнергетическими частицами и контролирования отклонений от стехиометрического состава. Основное внимание уделено новым относительно бинарных аналогов III-V закономерностям физических явлений в тройных соединениях. Определены также актуальные аспекты новых практических применений полупроводников II-IV-V₂ в полупроводниковой электронике.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.