Сравнивается образование и отжиг радиационных дефектов в n-кремнии (p~15 Ом·см), облученном при 170 и 300 K alpha-частицами с энергией 5 МэВ, с интенсивностью 2.5·10⁶ см^-2·с^-1 , дозой 2.5 ·10¹¹ см^-2. Концентрация радиационных дефектов измерялась емкостным методом в слое 1.4-6.0 мкм от поверхности образца, где средняя энергия alpha-частиц равна 4 МэВ. В интервале температур 170-300 K как для n-Si (Cz), так и для n-Si (fz) скорости введения A-центров близки и незначительно зависят от температуры; концентрация вакансий определяется не аннигиляцией пар Френкеля, а их взаимодействием с примесями и дефектами структуры. Оценивается порядок образования пары Френкеля sigma_FP>~=0.1·10^-24 см².

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.