Использование эпитаксиальных слоев GaAs : Bi, легированных изовалентными примесями, приводит к существенно лучшим электрическим характеристикам изготовленных на их основе быстродействующих фотодиодных структур типа МПМ, в частности, к меньшим величинам плотности темнового тока показателя "идеальности" ВАХ и большей величине напряжения лавинного пробоя. Применение таких структур в различных оптоэлектронных устройствах обеспечит их лучшие шумовые характеристики.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.