Проведено комплексное исследование фотоэлектрических и электрических свойств эпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe с ячеистой структурой при облучении наносекундными импульсами рубинового лазера в широком диапазоне плотности энергии. Показано, что повышение фоточувствительности исследуемых образцов связано с геттерирующими свойствами областей малой разориентации по отношению к электрически активным точечным дефектам. Изменения электрических параметров являются результатом уменьшения количества атомов ртути в междоузлиях вследствие стимулированной лазером десорбции и сегрегации ртути на стоки, а также изменением электронных состояний границ ячеек. При обработке эпитаксиальных слоев с плотностью энергии выше порога плавления увеличивается ширина запрещенной зоны приповерхностной области образцов, что связано с остаточными напряжениями и изменением состава этой области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.