Высокопроводящие слои микрокристаллического кремния n-типа проводимости получены методом высокочастотного (13.6 МГц) разряда в плазме в многокамерной системе для производства солнечных элементов. Путем вариации содержания в газовой фазе водорода (H₂/SiH₄) и фосфина (PH₃/SiH₄), общего давления и мощности разряда найдены условия, при которых слои обладают максимальной проводимостью ~80 Ом^-1·см^-1 субструктурой: кристаллиты размером около 10 нм, объединенные в сферические кластеры размером порядка 100 нм. Присутствия аморфной фазы при этом практически не обнаружено. Замена аморфного n-слоя на микрокристаллический в n-p-переходе приводит к сильному снижению контактного сопротивления. Применение таких переходов в тандемных солнечных p-i-n-p-i-n-элементах позволяет повышать их КПД за счет увеличения фототока и фактора заполнения вольт-амперной характеристики.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.