В монокристаллах Si_1-xGe_x различного состава исследовались глубокие амфотерные центры золота и DX-центры. Данные температурных зависимостей фотохолловских измерений, а также спектры тушения и регенерации фотопроводимости, фотоемкости и фотоиндуцированной долговременной проводимости (persistent conductivity) свидетельствуют об определяющей роли L-долины зоны проводимости в формировании уровня коррелированного электрона двухэлектронного глубокого центра, в то время как уровень его фонового электрона в запрещенной зоне Si_1-xGe_x преимущественно формируется из волновых функций либо валентной Зоны, либо X-долины зоны проводимости. Предлагаются модели глубоких амфотерных центров, учитывающие взаимосвязанность их метастабильных свойств со структурой зоны проводимости монокристаллов Si_1-xGe_x.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.