Производится расчет самокомпенсации легирующего действия примеси в полупроводниках типа A^IVB^VI нейтральными комплексами, состоящими из вакансии и двух примесных атомов. Вычисляется энтропия комплексов, и термодинамический потенциал минимизируется по концентрациям одиночных двухзарядных вакансий и комплексов. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными, полученными при легировании теллурида свинца висмутом при избытке теллура относительно стехиометрического состава. Учет комплексообразования существенно улучшает согласие теории с экспериментом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.