Дан обзор современного состояния проблемы самокомпенсации в узкощелевых полупроводниках A^IVB^VI. Изложена последовательная теория явления самокомпенсации для случаев компенсации одиночными вакансиями, заряженными парными комплексами и нейтральными комплексами. Проанализированы результаты экспериментального исследования самокомпенсации при введении различных донорных и акцепторных примесей в PbS, PbSe и PbTe, в узкощелевые твердые растворы Pb_0.8Sn_0.2Te и Pb_0.93Sn_0.07Se, а также в пленки халькогенидов свинца.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.