Проведено исследование DLTS-спектров и спектров электролюминесценции (ЭЛ) p-n-структур, полученных на основе 4H-SiC сублимационной эпитаксией и ионной имплантацией Al. Обнаружено, что результаты исследования качественно совпадают с результатами, полученными при исследовании 6H-SiC p-n-структур, сформированных аналогичными технологическими методами. Расчеты характеристик ЭЛ 4H-SiC-cтpyктyp, выполненные исходя из предложенных для 6H-SiC рекомбинационных моделей и параметров, обнаруженных в 4H-SiC глубоких центров, хорошо согласуются с экспериментом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.