Сформированные на n-Si слои p-типа проводимости толщиной около 0.7 мкм с концентрацией бора до 10¹⁹ см^-3 облучались ионами Ar⁺ с энергией 135 кэВ дозами 10¹⁵/10¹⁷ см^-2 при температуре 900^oC. Для исследований использованы масс-спектрометрия вторичных ионов, емкостные измерения (для определения профиля распределения заряженных центров) и послойные холловские измерения. Наряду с возникновением радиационно-ускоренного диффузионного перераспределения бора обнаружено растущее с дозой стягивание его к поверхности, сопровождающееся электрической нейтрализацией акцепторов. При увеличении концентрации бора в приповерхностной области до 5·10¹⁹ см^-3 концентрация дырок на глубинах до 0.2 мкм не превышала 3·10¹⁵ см^-3. Эффект нейтрализации бора сохранялся при отжигах до 1100^oC, причем термическая его устойчивость росла с дозой ионов. Наблюдавшиеся явления объяснены формированием под действием облучения структурных нарушений, преимущественно несовершенных дислокационных петель, и стоком на них атомов бора благодаря радиационному ускорению диффузии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.