Внутризонное поглощение света в тонкой полупроводниковой пленке при рассеянии на потенциалах нулевого радиуса
Синявский Э.П.1, Сафронов Е.Ю.1, Канаровский Е.Ю.1
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Поступила в редакцию: 9 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.
Исследовано влияние резонансных примесных состояний на процессы внутризонного поглощения света в тонкой полупроводниковой пленке. Построены зависимости коэффициента поглощения света от температуры и толщины размерно-квантованной пленки, проведено сравнение с расчетами, выполненными в борновском приближении.
- Л.Г. Герчиков, А.В. Соловьев. ФТП, 29, 1710 (1988)
- А.М. Казарян, В.Г. Григорян. ФТП, 22, 1873 (1988)
- C. Priester, G. Allan, V. Lannoo. Phys. Rev., \bf 29, 3408 (1984)
- А.В. Чаплик. ЖЭТФ, 59, 2110 (1970)
- А.В. Чаплик. ФТП, 5, 1900 (1971)
- Ю.Н. Демков, В.Н. Островский. Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике. Л. (1975)
- Э.П. Синявский, Е.Ю. Сафронов. ФТТ, 31, вып. 7, 1 (1989)
- Э.П. Синявский, Е.Ю. Канаровский. ФТТ, 34, 737 (1992)
- С.П. Андреев. УФН, 143, 213 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.