Рассмотрено влияние взаимодействия подсистемы релаксаторов диэлектрика с электронной подсистемой полупроводника на характер процессов термостимулированной деполяризации (ТСД) МДП структур. Построена теория процесса ТСД с учетом изменения падения напряжения на диэлектрике, обусловленного релаксацией области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводника. Показано, что релаксация ОПЗ радикально модифицирует форму и количественные параметры пиков тока ТСД: пики тока расщепляются или уширяются, а их площадь заметно уменьшается. Стандартная процедура обработки таких пиков дает нереальные значения параметров, характеризующих процесс ТСД. Развит новый подход к исследованиям ТСД МДП структуры, основанный на синхронных измерениях температурных зависимостей тока деполяризации J(T) и высокочастотной емкости C_HF(T). По этой методике выполнены эксперименты на МОП структурах с термическим окислом толщиной 2·10^-5 см и площадью 10^-2 см², изготовленных на основе Si, легированного P, с удельным сопротивлением порядка 4.5 Ом·см и ориентацией (100). Термополевым стрессом при 473 K и напряжении V_g=10 B индуцировалось смещение подвижных положительных ионов в SiO₂ к границе его раздела с Si. После охлаждения структуры до 200 K и инвертирования знака V_g осуществлялся обычный алгоритм измерения ТСД с одновременной регистрацией зависимостей J(T) и C_HF(T). Данные экспериментов хорошо описываются теорией, построенной для простейшего случая чисто термоэмиссионного переноса ионов в SiO₂ в условиях, когда индуцируемое смещением ионов изменение поверхностного потенциала Si не приводит к нарушению термодинамического равновесия в ОПЗ полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.