Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронный спектр двух- и трехмерных квантовых ям на основе узкощелевых полупроводников
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 8 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.
На примере двух- и трехмерных квантовых ям, образованных узкощелевыми полупроводниками с взаимно инвертированными зонами, изучены спектры приграничных состояний. Показано, что от верхней и нижней зон объемного спектра отщепляется серия дискретных уровней, отличающихся значениями полного углового момента.
- O.A. Pankratov, S.V. Pakhomov, B.A. Volkov. Sol. St. Commun., \bf 61, 93 (1987)
- Б.Г. Идлис, М.Ш. Усманов. Препринт N 1, ФИ РАН (1993)
- В.А. Волков, Т.Н. Пинскер. ФТТ, 23, 1756 (1981)
- Б.Г. Идлис, М.Ш. Усманов. ФТП, 26, 329 (1992)
- А.В. Колесников, А.П. Силин. Препринт N 21, ФИ РАН (1993)
- Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП, 16, 1209 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
