Вышедшие номера
Электрофизические свойства гетероструктур InP--In 2S 3
Сысоев Б.И.1, Линник В.Д.1, Титов С.А.1
1Воронежский технологический институт,, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 1 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Исследованы электрофизические свойства гетероструктур InP-In2S3, полученных термообработкой пластин InP в парах серы в квазизамкнутом объеме. Анализируется связь электофизических характеристик структур с особенностями роста пленок In2S3. Показано, что температурные зависимости вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик, а также аномальная релаксация емкости гетероструктур InP-In2S3 могут быть объяснены на основе модели полупроводниковая подложка-пленка с неоднородным потенциальным рельефом, образующимся вследствие легирования пленок In2S3 в процессе их роста.