Исследование гетероструктур InP/InGaAs методом фотоэдс с использованием органической жидкости
Пашук А.В.1, Фурсенко Т.А.1
1Научно-исследовательский институт ''Электрон'',, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.
Проведены спектральные исследования гетероструктур InP/InGaAs, имеющих разную толщину поверхностного эпитаксиального слоя InP, методом фотоэдс с использованием органических жидкостей. Получена экспериментальная зависимость указанной толщины от отношения значений фотоэдс в разных участках спектра. Рассмотрены физические механизмы происходящих процессов и возможность применения метода для определения толщины поверхностного эпитаксиального слоя у других гетероструктур.
- J.S. Escher, B.F. Williams. J. Appl. Phys., 44, 525 (1973)
- B.J. Baliga, R. Bhat, S.K. Ghandhi. J. Appl. Phys., \bf 46, 3941 (1975)
- В.П.Денисов, А.В. Пашук. ПТЭ, N 1, 211 (1991)
- В.П. Денисов, А.В. Пашук. ФТП, 25, 1381 (1991)
- А.с. N 1554681 СССР (1989)
- А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М. (1971)
- Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М. (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук