Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1994, выпуск 6 » Статья стр. 1046
<<<>>>
Оптические исследования GaAs/AlAs структур с изолированными кластерами GaAs, выращенных на поверхности с высокими индексами Миллера
Максимов М.В.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Иванов С.В.1, Копьев П.С.1, Леденцов Н.Н.1, Мельцер Б.Я.1, Табатадзе И.Г.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.
PDF версия
Осаждение небольшого количества GaAs на фасетированную поверхность AlAs (311) приводит к формированию кластеров, длина и характер распределения по поверхности которых определяются параметрами роста. Внедрение кластеров в барьер AlAs, разделяющий две квантовые ямы GaAs, приводит к появлению в спектре фотолюминесценции новых линий. Интенсивность и спектральное положение таких линий определяются геометрическими параметрами структуры и условиями роста. Значительное увеличение силы осциллятора экситона, локализованного длинными кластерами, говорит о квазиодномерном характере электронного спектра в рассматраваемых структурах. В случае оптимальных условий выращивания линия, соответствующая длинным кластерам, доминирует в спектре фотолюминесценции вплоть до больших плотностей возбуждения и высоких температур наблюдения.
  1. H. Sakaki. Japan. J. Appl. Phys., 19, L735 (1980)
  2. M.L. Roukes, A. Scherer, S.J. Allen, H.G. Grainhead, R.M. Ruthen, E.D. Beebe, J.P. Harbison. Phys. Rev. Lett., \bf 59, 3011 (1987)
  3. M. Kohl, D. Heitman, P. Grambow, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., \bf 63, 2124 (1989)
  4. M. Tsuchiya, J.M. Gaines, R.H. Yan, R.J. Simes, P.O. Holtz, L.A. Coldren, P.M. Petroff. Phys. Rev. Lett., \bf 62, 466 (1989)
  5. D. Gershoni, J.S. Weiner, S.N. Chu, G.A. Baraff, J.M. Vandenberg, L.N. Pfeifer, K. West, R.A. Logan, T. Tanbun-Ek. Phys. Rev. Lett., 1990, \bf 65, 1631 (1986)
  6. S.A. Chalmers, A.C. Gossard, A.L. Weisenhorn, S.A.C. Gould, B. Drake, P.K. Hansma. Appl. Phys. Lett., \bf 55, 2492 (1989)
  7. P.N. Uppal, J.S. Ahearn, D.P. Musser. J. Appl. Phys., \bf 62, 3766 (1987)
  8. S. Subbana, H. Kroemer, J.L. Merz. J. Appl. Phys., \bf 59, 486 (1986)
  9. R. Notzel, N.N. Ledentsov, L.A. Daweritz, M. Hohenstein, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., \bf 68, 3812 (1991)
  10. R. Notzel, N.N. Ledentsov, L.A. Daweritz, K. Ploog, M. Hohenstein. Phys. Rev. B, \bf 45, 3507 (1992)
  11. R. Notzel, L.A. Daweritz, N.N. Ledentsov, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., \bf 60, 1615 (1992)
  12. R. Notzel, L. Daweritz, N.N. Ledentsov, K. Ploog. Surf. Sci., \bf 267, 209 (1992)
  13. R. Notzel, K. Ploog. J. Vac. Sci. Techn. B, \bf 10, 2034 (1992)
  14. R. Notzel, L. Daweritz, K. Ploog. Phys. Rev. B, \bf 46, 4736 (1992)
  15. A.J. Shields, R. Notzel, M. Cardona, L. Daweritz, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., \bf 60, 2537 (1992)
  16. H. Kalt, R. Notzel, K. Ploog, H. Giessen. Sol. St. Commun., \bf 83, 285 (1992)
  17. Y. Yamamoto, M. Inai, T. Takebe, M. Fujii, K. Kobayashi. \it Workbook 7th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy, August 24--28, 1992 (Schwablische Gemund, Germany) Th2.3
  18. R. Mirin, M. Krishnamurthy, J. Ibbetson, J. English, A. Gossard. \it Workbook 7th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy, August 24--28, 1992 (Schwablische Gemund, Germany) ThP.3
  19. M. Sato, K. Maehashi, H. Asahi, S. Hasegawa, H. Nakashima. Superlatt. Microstruct., \bf 7, 279 (1990)
  20. J. Chang Yi, N. Dagli, L.A. Coldren. Appl. Phys. Lett., \bf 59, 3015 (1991)
  21. N.N. Ledentsov. \it Report on the NATO ASI School on the Optical Properties of Semiconductors, March 7--19, 1992 (Erice, Italy)
  22. Zh.I. Alferov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov, B.Ya. Meltser, V.M. Ustinov. Fiz. Tekn. Poluprovod. (Sov. Phys. Semicond.), \bf 26, 1715 (1992)
  23. E.L. Ivchenko, A.V. Kavokin, V.P. Kochereshko, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov. \it Proc. 6th Int. Conf. on Semicond. Superlat., Microstruct. a. Microdevices, August 4--7, 1992
  24. P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov. Sov. Phys. Semicond., \bf 22, 1093 (1988)
  25. S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov. J. Cryst. Growth, \bf 104, 345 (1990)
  26. S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov. J. Cryst. Growth, \bf 108, 661 (1991)
  27. S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov. Mater. Sci. Forum, \bf 69, 9 (1991)
  28. S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev and N.N. Ledentsov. J. Cryst. Growth, \bf 111, 151 (1991)
  29. Zh.I. Alferov, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov, M.E. Lutsenko, B.Ya. Meltser, M.I. Nemenov, S.V. Shaposhnikov, Sov. Phys. Semicond., \bf 24, 92 (1990)
  30. P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov. Sov. Phys. Semicond., \bf 24, 1058 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme