Вышедшие номера
Фотоотражение полуизолирующего GaAs при homega=<sssimEg
Пихтин А.Н.1, Тодоров М.Т.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

Исследована причина появления длинноволнового пика в спектрах фотоотражения высокоомного арсенида галлия. Доказана связь спектральной особенности, наблюдаемой вблизи порога собственного поглощения, с отражением оптического луча от задней полированной поверхности образца и с модуляцией света при его прохождении через приповерхностный слой объемного заряда. Рассмотрены возможности участия примесей и оптических фононов в механизме его формирования.