Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Динистор на основе эпитаксиальных слоев SiC--6 H, выращенных методом сублимации в открытой ростовой системе
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 11 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.
Разработана технология создания динисторной структуры на основе SiC-6H методом сублимации в открытой ростовой системе.
- В.А. Дмитриев, С.Н. Вайнштейн, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \bf 13, 675 (1987)
- V.A. Dmitriev, M.E. Levinshtein, S.N. Vainshtein, V.E. Chelnokov. Electron. Lett., \bf 24, 1213 (1988)
- J.A. Edmond, J.W.Palmour, C.H. Carter.\it Proc. Int. Semicond. Dev. Res. Symp. Charlottesville, 1991 [IEEE MTT (1991)]
- М.М. Аникин, Н.В. Гусева, В.А. Дмитриев, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., N 10, 1768 (1984)
- M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pjatko, V.N. Soloviov, A.M. Strelchuk. \it Abstracts 3rd Int. Conf. on Amorphous and Cristalline Silicon Carbide and Other Group IV--IV Materials (Washington, 1990) p. VI.6
- М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Е. Черенков. ФТП, \bf 25, 479 (1991)
- И.В. Попов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \bf 12, 240 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
