Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Глубокие центры, обусловленные атомами Ge, в двойных гетероструктурах на основе AlGaAs

Гнатенко В.И.¹, Торчинская Т.В.¹

¹Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина Institute of Semiconductor Physics NASU, Kiev, Ukraine

Поступила в редакцию: 11 сентября 1992 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовались двойные гетероструктуры на основе Al_xGa_1-xAs, в которых активный p-слой (0<x<0.05) легирован германием. В активном слое методом DLTS были обнаружены безызлучательные дырочные ловушки двух типов (E_v+0.26 эВ и E_v+0.34 эВ), одна из которых имеет сложную природу. Имеет место пропорциональная зависимость концентрации обнаруженных ловушек от концентрации мелких акцепторов (германия). Кроме того, в спектре электролюминесценции помимо основной полосы излучения (hnu=1.51/1.55 эВ при T=77 K) была обнаружена неосновная полоса излучения (hnu=0.80/0.85 эВ при T=77 K), обусловленная переходами глубокий донор-мелкий акцептор Ge_As.

О. Маделунг. \it Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
А. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1979)
Л.М. Коган. \it Полупроводниковые светоизлучающие диоды (М., Энергоиздат, 1983)
Точечные дефекты в твердых телах, сб. статей (М., Мир, 1979)
A. Merceat, D. Bois. Inst. Phys. Conf. Ser. 46, ch. 1, 82 (1979)
G.F. Neumark, K. Kosai. \it Deep Levels in Wide-Band III--V Semiconductors (Philips Laboratories, N.Y.) ch. 1 [Reprint from \it Semicond. Semimet., \bf 19 (1983)]
P.J. Wang, T.F. Kuech, M.A. Tishler, P. Mooney, G. Scilla, F. Cardone. J. Appl. Phys., \bf 64, 4975 (1988)
F.D. Auret, M. Nel. Appl. Phys. Lett., 48, 130 (1986)
C.H. Henry, D.V. Lang. Phys. Rev. B, 15, 989 (1977)
И.Н. Белокурова, О.В. Третяк, С.И. Шаховцева, М.М. Шварц, А.А. Шматов. ФТП, \bf 23, 1869 (1989)
F. Poulin, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 26, 6788 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель