Вышедшие номера
Глубокие центры, обусловленные атомами Ge, в двойных гетероструктурах на основе AlGaAs
Гнатенко В.И.1, Торчинская Т.В.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 сентября 1992 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

Исследовались двойные гетероструктуры на основе AlxGa1-xAs, в которых активный p-слой (0<x<0.05) легирован германием. В активном слое методом DLTS были обнаружены безызлучательные дырочные ловушки двух типов (Ev+0.26 эВ и Ev+0.34 эВ), одна из которых имеет сложную природу. Имеет место пропорциональная зависимость концентрации обнаруженных ловушек от концентрации мелких акцепторов (германия). Кроме того, в спектре электролюминесценции помимо основной полосы излучения (hnu=1.51/1.55 эВ при T=77 K) была обнаружена неосновная полоса излучения (hnu=0.80/0.85 эВ при T=77 K), обусловленная переходами глубокий донор-мелкий акцептор Ge As.