Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптические и электрические свойства слоев a-Si 1- xC x:H, перспективных для электрофотографических применений
Кудоярова В.Х.1, Теруков Е.И.1, Трапезникова И.Н.1, Виолина Г.Н.1, Елькина Н.В.1, Каваляускас Р.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 24 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.
Проведено комплексное исследование оптических, структурных и электрических свойств слоев аморфного гидрогенизированного карбида кремнияa-Si1-xCx:H в диапазоне составов, соответствующих 0<x<0.5, приготовленного из смесей CH4+SiH4+Ar/H2 в плазме высокочастотного тлеющего разряда. Исследование этих твердых растворов проводится с целью их использования в электрофотографии. Показано, что аморфный гидрогенизированный карбид кремния может быть использован в многослойных электрофотографических слоях в качестве блокирующего слоя (что дает возможность осуществить бизарядный режим записи информации), пассивирующего слоя (что позволяет улучшить процесс накопления заряда на поверхности), слоя переноса заряда. В работе оптимизированы режимы получения a-Si1-xCx:H для каждого из слоев, а также осуществлена приборная (практическая) реализация полученных результатов, т. е. получены электрофотографические оттиски.
- I. Shimizu. \it Semiconductors and Semimetals (1984) v. 21, part D, p. 55
- Р. Шафферт. Электрофотография (М., Мир, 1968) с. 20
- N. Jamamoto, Y. Nakayama, K. Wakita, M. Nakano, T. Kawama. Japan. J. Appl. Phys., Suppl. \bf 20--1, 305 (1981)
- K. Wakita, et al. Photogr. Sci. Eng., 26, 183 (1982)
- J.C. Knights, R.A. Lujan, R.A. Street, D.K. Biegelson. Appl. Phys. Lett., \bf 38, 331 (1981)
- I. Shimizu, T. Komatsu. Photogr. Sci. Eng., \bf 24, 251 (1980)
- I. Shimizu, T. Komatsu, K. Saito, E. Inoue. J. Non-Cryst. Sol., \bf 35--36, 773 (1980)
- Y. Nakayama, S. Akita, K. Wakita, M. Nakano, T. Kawamura. Electrophotopraphy, \bf 27, 41 (1988)
- Н.В. Елькина, Р.А. Каваляускас, В.И. Марахонов, В.В. Жданова, Е.И. Теруков. \it Тез. докл. совещ. сем. "Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе a-Si" (Одесса, 1989) с. 48
- В.Х. Кудоярова, Р.А. Каваляускас, О.И. Коньков, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, И.В. Шведков. \it Тез. докл. межд. конф. по электрофотографии (М., 1991) с. 46
- Л.А. Балагуров, Н.Ю. Карпова, О.Е. Коробов, А.Н. Лупачева, П.Н. Морозкин, Н.Б. Смирнов. \it Тез. докл. межд. конф. по электрофотографии (М., 1991) с. 95
- Г.С. Грешинин. \it Электрофотографический процесс (М., Наука, 1970) с. 277
- H. Schanks, C.J. Fang, L. Ley, M. Cardona, F.J. Demond, S. Kalbitzer. Phys. St. Sol. (b), \bf 100, 43 (1980)
- V.Kh. Kudoyarova, G.M. Gusinsky, L.A. Rassadin, I.V. Kudryavtsev. Appl. Surf. Sci., \bf 50, 173 (1991)
- H. Weider, M. Cardona, C.R. Guarnieri. Phys. St. Sol. (b), \bf 92, 99 (1979)
- K. Nakazawa, S. Veda, M. Kumeda, A. Marimoto, T. Scimizu. Japan. J. Appl. Phys., \bf 21, L176 (1982)
- G.M. Gusinskii, I.V. Kudryavtsev, V.Kh. Kudoyarova, V.O. Naidenov, L.A. Rassadin. Semicond. Sci. Techn., \bf 7, 881 (1992)
- J. Bullot, M.P. Schmidt. Phys. St. Sol. (b), \bf 143, 345 (1987)
- G. Lucovsky. Sol. St. Commun., 29, 571 (1979)
- A. Skumanich, A. Frova, N.M. Amer. Sol. St. Commun., \bf 54, 597 (1985)
- D. Della Sala, P. Fiorini, A. Frova, A. Gregori, A. Skumanich, N.M. Amer. J. Non-Cryst. Sol., \bf 77/78, 853 (1985)
- N.F. Mott, E.A. Devis. Phil. Mag., 22, 903 (1970)
- J.P. Gerault, R. Moraucho, G. Constant, Phil. Mag. B, \bf 49, 11 (1984)
- R. Carius, K. Jahn, W. Sielbert, W. Fuhs. J. Luminesc., \bf 31/32, 354 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
