Вышедшие номера
Псевдолегирование и отжиг аморфного гидрированного кремния
Голикова О.А.1, Казанин М.М.1, Мавлянов Х.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

Проведены исследования влияния отжига при температурах 300-390 oC на фотоэлектрические параметры псевдолегированных образцов a-Si:H. Показано, что термическая релаксация структурной сетки готовой пленки приводит к снижению концентрации оборванных связей и сдвигам уровня Ферми к середине щели подвижности так же, как уменьшение интенсивности бомбардировки растущей пленки частицами плазмы.