Вышедшие номера
Исследование гетероструктуры InGaAs/GaAs (100) методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения
Имамов Р.М.1, Ломов А.А.1, Сироченко В.П.1, Игнатьев А.С.1, Мокеров В.Г.1, Немцев Г.З.1, Федоров Ю.В.1
1Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

Методом асимптотической брэгговской дифракции определены структурные характеристики и концентрация In в субмикронной (200 Angstrem) пленке InxGa1-xAs, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs (100). Экспериментально обнаружено наличие переходного слоя на границе пленка-подложка толщиной 20 Angstrem и предложена модель, объясняющая его возникновение.