Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование гетероструктуры InGaAs/GaAs (100) методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения

Имамов Р.М.¹, Ломов А.А.¹, Сироченко В.П.¹, Игнатьев А.С.¹, Мокеров В.Г.¹, Немцев Г.З.¹, Федоров Ю.В.¹

¹Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия Shubnikov Institute of Crystallography, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 26 мая 1993 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом асимптотической брэгговской дифракции определены структурные характеристики и концентрация In в субмикронной (200 Angstrem) пленке In_xGa_1-xAs, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs (100). Экспериментально обнаружено наличие переходного слоя на границе пленка-подложка толщиной 20 Angstrem и предложена модель, объясняющая его возникновение.

U.K. Mishra, A.S. Brown, S.E. Rosenbam, M.W. Pierce, M.J. Delaney, S. Vaughn, K. White. IEEE Electron. Dev. Lett., \bf EDL-9, 647 (1988)
A. Fathimula, J. Abrahams, T. Loughran, H. Hier. IEEE Electron. Dev. Lett., \bf EDL-9, 328 (1988)
S.H. Pan, H. Shen, Z. Hang, F.H. Pollak, W. Zhuang, Q. Xu, A.P. Roth, R.A. Masut, C. Lacelle, D. Morris. Phys. Rev. B, \bf 38, 3375 (1988)
P.P. Ruden, M. Shur et al. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-36, 2371 (1989)
D.C. Bertolet, Y.K. Hsu, F. Agahi, K.M. Lau. J. Electron. Matter., \bf 19, 967 (1990)
J.H. van der Merwe. J. Electron. Matter., \bf 20, 793 (1991)
K. Rajan, E. Fitzgerald, K. Jagannadham. J. Electron. Matter., \bf 20, 861 (1991)
E.M. Cirlin, I. Vajo, R.E. Doty, T.C. Hasenberg. J. Vac. Sci. Techn. A, \bf 9, 1395 (1991)
А.М. Афанасьев, П.А. Александров, Р.М. Имамов. \it Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев (М., Наука, 1989)
J. Hornstra, W.J. Bartels. J. Cryst. Growth, \bf 44, 513 (1978)
M.A. Herman, D. Bimberg, J. Christen. J. Appl. Phys., \bf 70, N 2, R1 (1992)
П.А. Александров, А.М. Афанасьев, М.К. Мелконян. Кристаллография, \bf 26, 1275 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель