Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние условий осаждения на процесс формирования квантовых кластеров (In,Ga)As в матрице GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 5 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.
При определенных условиях выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии происходит трансформация упруго-напряженного слоя (In,Ga)As, осаждаемого на подложке GaAs(100), в массив трехмерных зародышей. Используя данный эффект, нами были получены кластеры (In,Ga)As в матрице объемного GaAs, которые могут рассматриваться как массив квантовых точек. Показано, что температура подложки, соотношение In/Ga и средняя толщина осажденного материала оказывают влияние на процесс образования кластеров и их оптические свойства. Впервые наблюдалась лазерная генерация при инжекционной накачке с использованием в качестве активной среды массива квантовых точек, полученных непосредственно в процессе эпитаксиального выращивания структур.
- H. Sakaki. Japan. J. Appl. Phys., 19, L735 (1980)
- Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, И.Г. Табатадзе, П.С. Копьев. ФТП, \bf 28 (1994)
- D. Leonard, M. Krishnamurthy, C.M. Reaves, S.P. Denbaars, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., \bf 63, 3203 (1993)
- А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, \bf 28, 604 (1994)
- P.I. Cohen, P.R. Pukite, J.M. van Hove, C.S. Lent. J. Vac. Sci. Techn. A, \bf 4, 1251 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
