Исследование отжига радиационных дефектов в n-SiC( 6 H), облученном тепловыми нейтронами
Атабаев И.Г.1, Саидов М.С.1, Салиев Т.М.1, Шамуратов Х.А.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 27 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.
Приведены результаты исследования влияния отжига на радиационные дефекты в n-SiC(6H), облученном тепловыми нейтронами в дозах 1019-1020 см-2. Отжиг проводился в вакууме в интервале температур 600-1000 oC. Измерялась концентрация электронов, оптическое поглощение, фотопроводимость. Установлено существование двух групп дефектов с энергиями активации отжига ~1 и ~3 эВ.
- В.А. Ильин, В.С. Балладович. \it Первая национальная конференция "Дефекты в полупроводниках" (С.-Петербург, 1992) с. 125
- В.И. Брудный, С.Е. Ерматов, М.А. Кривов, Б.Т. Толебоев. Изв. вузов СССР. Физика, \bf 26, 122 (1983)
- А.И. Вейнгер, А.А. Лепнева, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.И. Соколов. ФТП, \bf 18, 2014 (1984)
- И.Г. Атабаев, М.С. Саидов, Л.И. Хируненко, В.И. Шаховцов, В.К. Шинкаренко, Л.И. Шпинар, А. Юсупов. ФТП, \bf 21, 570 (1987)
- С. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 47
- В.В. Макаров. \it Тр. Ленинградского Политехнического института (1980) вып. 371, c. 66
- А. Дамаск, Дж. Дикс. \it Точечные дефекты в металлах (М., Мир, 1966) c. 153
- Е.В. Кучис. \it Методы исследования эффекта Холла (М., Сов. радио, 1974)
- С.И. Власкина, Ю.Н. Литвинов, С.В. Свечников, О.Т. Сергеев. В сб.: \it Техника средств связи. Сер. \it Общетехническая, вып. 5, 74 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.