Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование отжига радиационных дефектов в n-SiC( 6 H), облученном тепловыми нейтронами

Атабаев И.Г.¹, Саидов М.С.¹, Салиев Т.М.¹, Шамуратов Х.А.¹

¹Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан Physicotechnical Institute, Research-and-Production Association “Physics–Sun”, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Physicotechnical Institute, Research-and-Production Association “Physics–Sun”, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Поступила в редакцию: 27 июля 1993 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследования влияния отжига на радиационные дефекты в n-SiC(6H), облученном тепловыми нейтронами в дозах 10¹⁹-10²⁰ см^-2. Отжиг проводился в вакууме в интервале температур 600-1000 ^oC. Измерялась концентрация электронов, оптическое поглощение, фотопроводимость. Установлено существование двух групп дефектов с энергиями активации отжига ~1 и ~3 эВ.

В.А. Ильин, В.С. Балладович. \it Первая национальная конференция "Дефекты в полупроводниках" (С.-Петербург, 1992) с. 125
В.И. Брудный, С.Е. Ерматов, М.А. Кривов, Б.Т. Толебоев. Изв. вузов СССР. Физика, \bf 26, 122 (1983)
А.И. Вейнгер, А.А. Лепнева, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.И. Соколов. ФТП, \bf 18, 2014 (1984)
И.Г. Атабаев, М.С. Саидов, Л.И. Хируненко, В.И. Шаховцов, В.К. Шинкаренко, Л.И. Шпинар, А. Юсупов. ФТП, \bf 21, 570 (1987)
С. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 47
В.В. Макаров. \it Тр. Ленинградского Политехнического института (1980) вып. 371, c. 66
А. Дамаск, Дж. Дикс. \it Точечные дефекты в металлах (М., Мир, 1966) c. 153
Е.В. Кучис. \it Методы исследования эффекта Холла (М., Сов. радио, 1974)
С.И. Власкина, Ю.Н. Литвинов, С.В. Свечников, О.Т. Сергеев. В сб.: \it Техника средств связи. Сер. \it Общетехническая, вып. 5, 74 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель