Влияние электрон-плазмонного рассеяния на транспортные характеристики горячих электронов в вырожденном GaAs
Багаева Т.Ю.1, Попов В.В.1, Солодская Т.И.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.
С помощью моделирования методом Монте-Карло показано, что электрон-плазмонное рассеяние существенно влияет на транспортные характеристики горячих электронов в вырожденном GaAs. Однако это влияние оказывается значительно меньшим, чем было предсказано в предыдущих работах других авторов.
- K. Diff, K. Brennan. J. Appl. Phys., 69, 3097 (1991)
- N. Mansour, K. Diff, K. Brennan. J. Appl. Phys., \bf 70, 6854 (1991)
- О. Маделунг. Теория твердого тела (М., 1980)
- P. Lugli, D.K. Ferry. Appl. Phys. Lett., 46, 595 (1985)
- W. Fawcett, A.D. Boardman, S. Swain. Phys. Chem. Sol., \bf 31, 1963 (1970)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук