Мы исследовали оптические свойства структур InGaAs-GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Рост осуществлялся путем попеременного осаждения молекул InAs и GaAs на поверхности GaAs (100). Количество InAs, осажденного во время каждого цикла, соответствовало слою со средней толщиной 1 Angstrem. На начальной стадии роста (In,Ga)As картина дифракции быстрых электронов соответствовала планарной поверхности, однако при достижении некоторой критической толщины в ней наблюдались изменения, связанные с трансформацией упруго-напряженного слоя в массив трехмерных зародышей (In,Ga)As, которые затем заращивались GaAs. Уменьшение температуры подложки приводило к увеличению критической толщины слоя (In,Ga)As, и таким образом могли быть получены как гетероструктуры с квантовыми ямами, так и с квантовыми кластерами при одном и том же среднем количестве осажденного материала. В спектрах фотолюминесценции и в спектрах возбуждения люминесценции структур с кластерами наблюдался пик, сильно смещенный в длинноволновую сторону от положения, соответствующего случаю слоевого роста, с шириной 30-40 мэВ, который доминировал в спектре вплоть до высоких плотностей возбуждения и температур наблюдения. Впервые наблюдалась лазерная генерация через состояния квантовых кластеров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.