Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Поверхностная ультрафиолетовая фотолюминесценция кристаллов карбида кремния
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 16 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.
Исследована ультрафиолетовая фотолюминесценция (УФ ФЛ) кристаллов и пленок SiC с энергиями, существенно превышающими Eg. Исходя из данных кинетики спада и поляризационных характеристик полос УФ ФЛ, был сделан вывод о кластерной природе излучения. Проведенные обработки поверхности кристаллов в KOH и различных растворителях показали, что центры свечения расположены в приповерхностном слое, и они возникают после механической обработки (шлифовка, полировка) поверхности кристаллов SiC.
- W.J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev., 127, 1868 (1962)
- А.А. Кальнин, В.В. Пасынков, Ю.М. Таиров, Д.А. Яськов. ФТТ, \bf 8, 2982 (1966)
- Y.A. Vodakov, Y.M. Tairov. Top. Appl. Phys., \bf 17, 31 (1977)
- И.Ю. Линьков, Я.В. Морозенко. ФТП, 25, 504 (1991)
- Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. ФТП, \bf 25, 1437 (1991)
- B.A. Wilson. Phys. Rev. B, 23, 3102 (1981)
- C.A. Murray, T.J. Greytak. Phys. Rev. B, \bf 20, 3368 (1979)
- T.A. Egerton, A.H. Hardin. Catal. Rev. Sci. Eng., \bf 11, 71 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
