Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование собственных дефектов в легированном теллуриде висмута электрофизическими методами

Абайдулина Т.Г.¹, Житинская М.К.¹, Немов С.А.¹, Равич Ю.И.¹

¹Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 4 марта 1994 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучено влияние отклонения от стехиометрии на электрофизические свойства поликристаллических образцов Bi₂Te₃, легированного одновременно 5 ат% In и 1 ат% Pb. Полученные образцы обладали дырочным типом проводимости. Обнаружено изменение характера зависимости концентрации дырок от избытков Te и Bi по сравнению с нелегированным Bi₂Te₃. Предложена интерпретация этих данных, основанная на предположении, что количество антиструктурных дефектов (атомов Bi в подрешетке Te) уменьшается в присутствии электроактивной примеси In. На концентрационной зависимости коэффициента термоэдс S при температурах T~= 120 K обнаружен глубокий минимум вблизи p~ 1· 10¹⁹ см^-3, связанный, по-видимому, с межзонным рассеянием при участии примесных атомов In.

Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi_2Te_3 (1972)
J. Panciv r, J. Horak, Z. Stary. Phys. St. Sol. (a), \bf 103, 517 (1987)
A.J. Rosenberg, A.T. Strauss. J. Phys. Chem. Sol., \bf 19, 105 (1961)
J. Horak, P. Lov sv tak, L. Benev s. Phil. Mag. B, \bf 50, 665 (1984)
D.J. Ryden. J. Phys. C, 4, 1993 (1971)
J.P. Fleurial, L. Gailliard, R. Triboulet, H. Scherrer, S. Scherrer. Phys. Chem. Sol., \bf 49, 1237 (1988)
C.B. Satterwate, R.W. Ure. Phys. Rev., 108, 1164 (1957)
G.R. Miller, Chi-Yu Li. J. Phys. Chem. Sol., \bf 26, 173 (1965)
М.К. Житинская, С.А. Немов, Ю.И. Равич, Т.Г. Абайдулина, В.В. Компанеец, Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин. ФТП, \bf 27, 1719 (1993)
М.К. Житинская, В.И. Кайданов, С.А. Немов. А.с. N 3628-76, деп. 23c (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель