Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Теория динамической электропроводности поликристаллических полупроводников и ее приложение к спектроскопии пограничных состояний
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 21 января 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.
Получено обобщенное выражение для статической вольт-амперной характеристики цепочки одинаковых полупроводниковых бикристалов. При этом учитывается зависимость концентрации носителей в объеме зерен от приложенного напряжения, что приводит к некоторым новым выводам относительно нелинейной электропроводности поликристаллов.
- \it Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение, под ред. Г. Харбеке (М., 1989)
- G.E. Pike. Phys. Rev. B, 30, 795 (1984)
- К.М. Дощанов. ФТП, 28, 692 (1994)
- C.Y. Lu, N.C.C. Lu. Sol. St. Electron., \bf 26, 549 (1983)
- M.M. Mandurah, K.C. Saraswat, C. Helms, T. Kamins. IEEE Trans. ED, \bf 28, 1163 (1981)
- G. Blatter, F. Greuter, Phys. Rev. B, \bf 33, 3952 (1986)
- G. Blatter, F. Greuter. Phys. Rev. B, \bf 33, 8555 (1986)
- Е.И. Гольдман. ФТП, 21, 95 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
