О температурной зависимости критической дозы аморфизации кремния при ионной имплантации
Гусаков Г.А.1, Новиков А.П.1, Анищик В.М.1
1Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 14 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.
Предложена модель ионно-индуцированной аморфизации полупроводника с учетом как природы создаваемых радиационных нарушений, так и структуры конечного аморфного состояния. Результаты машинного моделирования для кремния, облученного ионами As, P и B, удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными.
- J.F. Gibbons. Proc. IEEE, 60, 1062 (1972)
- F.F. Morehead, B.L. Crowder. Rad. Eff., 6, 27 (1970)
- J.R. Dennis, E.B. Hale. J. Appl. Phys., \bf 49, 1119 (1978)
- V.K.S. Shante, S. Kirkpatrick. Adv. Phys., \bf 20, 325 (1971)
- А.П. Новиков, Г.А. Гусаков. \it Тез. XXIII Межнац. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами (Изд-во Моск. ун-та, 1993), с. 78
- \it Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С.Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
- Ф.Ф. Комаров, В.Г. Лобанок, А.П. Новиков, А.И. Урванович. АН БССР. Сер. физ-мат. наук, N 3, 68 (1990)
- Н.А. Ухин. ФТП, 6, 931 (1972)
- R.A. Swalin. J. Phys. Chem. Sol., 18, 290 (1961)
- F.F. Morehead, B.L. Crowder et al. J. Appl. Phys., \bf 43, 1112 (1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук