Некоторые фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок тиогаллата кадмия
Мак В.Т.1, Ибрагим А.А.1
1Одесский государственный университет им. И.И.Мечникова,, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 16 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.
Выращены поликристаллические пленки тиогаллата кадмия и исследованы их фотоэлектрические свойства. Установлены три стадии изохронного отжига дефектов, определяющих свойства пленок, и предложены модели происходящих при этом процессов. Обнаружены две полосы оптического гашения фотопроводимости. Обсуждается их природа, а также природа возникающих при отжиге центров примесной фотопроводимости.
- В.Т. Мак, В.Е. Буковский, В.И. Стеценко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 27, 457 (1991)
- В.М. Славинец, В.М. Головей, Г.Н. Шпырко, М.И. Головей. Монокрист. матер., N 11, 137 (1983)
- В.Е. Тазлеван. \it Сложные полупроводники (Кишинев, 1988) с. 163
- А.Н. Георгобиани, С.И. Радауцан, В.С. Дону, И.М. Тигиняну. \it Тез. докл. II Респ. конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса, 1982) с. 86
- А.Н. Георгобиани, И.М. Тигиняну. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 25, 1880 (1989)
- А.Н. Георгобиани, С.И. Радауцан, И.М. Тигиняну. ФТП, \bf 19, 193 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук