Экспериментально и теоретически исследовано внутризонное излучение горячих электронов в n-InSb в далекой инфракрасной области спектра (lambda=80/110 мкм, пассивная область энергии) в широком диапазоне температур (15<T<80 K). Проанализировано влияние различных механизмов рассеяния на формирование излучения в кристалле. Показано, что основной вклад в излучение дают электроны с энергией, меньшей энергии оптического фонона, а доминирующим механизмом рассеяния является рассеяние на акустических фононах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.