Сообщается о результатах исследований амбиполярной диффузии носителей заряда при комнатной температуре в пленках CuInSe₂ p-типа проводимости толщиной 1-3 мкм. Пленки CuInSe₂ получали путем одновременного вакуумного напыления отдельных компонентов состава. Для измерений применялась методика интерференционной решетки фотоносителей заряда. Длина амбиполярной диффузии L вычислялась из зависимости вторичного фототока, регистрировавшегося перпендикулярно полосам интерференции решетки, от периода решетки. Получено, что L имеет значения одного порядка с размерами кристаллов в пленке (от 360 до 420 нм). Проведен анализ зависимости длины диффузии от интенсивности освещения и величины электрического поля. Вычислены произведения ''подвижность x время жизни'': для различных образцов они находятся в пределах (3.4-2.5)· 10^-8 и 4.2·10^-4-1.6·10^-6 см²/В соответственно для электронов и дырок. Найдена зависимость времени жизни носителей заряда от интенсивности освещения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.