Теоретически исследовано влияние глубоких примесей на фотоэффект в сильно смещенной высокоомной симметричной МПМ структуре при освещении монохроматическим светом (hnu>~= E_g). Решались полная система уравнений непрерывности в диффузионно-дрейфовом приближении и уравнение Пуассона. На границах металл-полупроводник учтена термоэмиссия электронов и дырок. Результаты приведены для структуры Au-CdTe-Au с одиночным примесным уровнем и для четырехуровневой модели. Показано, что инверсия (смена знака) электрического поля E₀ у освещаемого анода, возникающая при больших интенсивностях, появляется при всех значениях энергии примесного уровня E_t. Величина поля у анода |E₀| максимальная при значении E_t=E_t1, минимальна при E_t, близком к краям зон, и зависит от концентрации примеси N_t и интенсивности освещения. При различных E_t профили электрического поля E(x) в толще полупроводника демонстрируют разнообразие от резкой ступеньки до почти линейной зависимости. Зависимость плотности тока j от E_t представляет собой ''яму'' с крутыми стенками, глубина и ширина которой увеличиваются с ростом концентрации примеси. Это является следствием захвата фотогенерированных дырок примесями в толще структуры. Плотность тока имеет минимум при значении E_t2# E_t1. При этом с ростом N_t минимальное значение j стремится к величине j_B=emu_pp_*V/d, не зависящей от N_t (p_* - равновесная концентрация дырок в объеме). Для четырехуровневой модели показано наличие максимума электрического поля в толще структуры и заметное убывание поля к катоду, что связано с высокой концентрацией примесных уровней, степень заполнения которых в толще больше равновесной.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.