Об оптической активности полупроводниковых кристаллов CdSnAs 2 и CdGeP 2
Карымшаков Р.К.1
1Киргизский государственный университет,, Бишкек, Кыргызстан
Поступила в редакцию: 11 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.
Предлагается методика определения оптической активности кристаллов точечной группы 42m. Установлено, что для полупроводниковых кристаллов CdSnAs2 и CdSeP2 удельная оптическая активность подчиняется закону Био rho0=b/lambda2. Постоянная B равна 3.48 и 0.32 град·мкм для CdSnAs2 и CdGeP2 соответственно. В работе также найдена разность главных показателей преломления обыкновенного и необыкновенного лучей в кристалле CdGeP2.
- Дж. Най. \it Физические свойства кристаллов. (М., Мир, 1967)
- Г.А. Сухарулидзе, В.М. Тучкевич, Ю.И. Уханов, Ю.В. Шмарцев. ФТТ. \bf 8, 1159 (1966)
- Р.К. Карымшаков, Ю.И. Уханов, Ю.В. Шмарцев. ФТП. \bf 4, 362 (1970)
- А.В. Шубников. \it Оптическая кристаллография. (М.-Л., 1950)
- Р.К. Карымшатов. Автореф. канд. дис. (Ташкент, 1971)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук