Оценка эффективного уменьшения ширины запрещенной зоны в сильно легированных слоях кремниевых структур
Мнацаканов Т.Т.1, Поморцева Л.И.1, Яковлев Д.Г.1
1Всероссийский электротехнический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 4 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.
В рамках подхода, использующего результаты измерения характеристик транзисторных структур, получена оценка эффективной величины уменьшения ширины запрещенной зоны Delta Eg в сильно легированных слоях кремния. Особое внимание уделено последовательному учету электронно-дырочного рассеяния при выводе соотношений, с помощью которых определяется величина Delta Eg. С использованием полученных соотношений проанализированы результаты работ, опубликованных к настоящему времени, и показано, что пренебрежение вкладом электронно-дырочного рассеяния приводит к уменьшению величины Delta Eg на 30-40 %. На основе полученных соотношений и предложенной ранее модели подвижности неосновных носителей заряда [22] обсуждается новая схема исследования основных электрофизических параметров сильно легированных слоев, времени жизни неосновных носителей заряда tau, подвижности неосновных носителей заряда mu и Delta Eg.
- R. Mertens. Springer Series in Materials Science, Semicond. Silicon (Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 1989) v. 13, p. 309
- В.А. Кузьмин, А.С. Кюрегян, Т.Т. Мнацаканов, Л.И. Поморцева. РЭ, \bf 33, 609 (1989)
- J.W. Slotboom, H.C. de Graaff. Sol. St. Electron., \bf 19, 857 (1976)
- D.D. Tang. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-27, 563 (1980)
- A.W. Wieder. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-27, 1402 (1980)
- R.P. Mertens, J.L. van Meerbergen, J.F. de Nijs, R.J. van Overstraeten. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-27, 949 (1980)
- A. Neugroschel, S.C. Pao, F.A. Lindholm. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-29, 894 (1982)
- G.E. Possin, M.S. Adler, B.J. Baliga. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-31, 3 (1984)
- H.S. Bennett, C.L. Wilson. J. Appl. Phys., \bf 55, 3582 (1984)
- J.del Alamo, S. Swirhun, R.M. Swanson. Sol. St. Electron., \bf 28, 47 (1985)
- H.S. Bennett. Sol. St. Electron., 28, 193 (1985)
- J. del Alamo, R.M. Swanson. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-34, 1580 (1987)
- J. del Alamo, R.M. Swanson. Sol. St. Electron., \bf 30, 1127 (1987)
- R.R. King, R.M. Swanson. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-38, 1399 (1991)
- D.B.M. Klaassen, J.W. Slotboom, H.C.de Graaff. Sol. St. Electron., \bf 35, 125 (1992)
- A.A. Vol'fson, V.K. Subashiev. Sov. Phys. Semocond., \bf 1, 327 (1967)
- M. Balkanski, A. Aziza, E. Amzallag. Phys. St. Sol., \bf 31, 323 (1969)
- P.E. Schmid. Phys. Rev., 23, 5531 (1981)
- W.P. Dumke. Appl. Phys. Lett., 42, 196 (1983)
- K.M. van Vliet, A.H. Marshak. Sol. St. Electron., \bf 23, 49 (1980)
- M.S. Lundstrom, R.J. Schartz, J.L. Gray. Sol. St. Electron., \bf 24, 195 (1981)
- Б.Н. Грессеров, Т.Т. Мнацакаов. ФТП, 23, 1658 (1989)
- А. Блихер. \it Физика силовых биполярных и полевых транзисторов (Л., Энергоатомиздат, 1986).
- S.S.Li. Nat. Bur. Stand. Spec. Publ. N 400--33 (1977)
- W.R. Thurber, R.L. Mattis, Y.M. Lin, J.J. Filliben. J.Electrochem. Soc., \bf 127, 1807 (1980)
- В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.Б. Шуман. Письма в ЖТФ, \bf 6, 689 (1980)
- T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electron., \bf 30, 579 (1987)
- F. Dannhauser. Sol. St. Electron., 15, 1371 (1972)
- J.R. Krausse. Sol. St. Electron., 15, 1377 (1972)
- J.C.S. Woo, J.D. Plummer. IEDM Techn. Dig., \bf 401 (1987)
- J.D. Beck, R. Conradt. Sol. St. Commun., \bf 13, 43 (1973)
- C.H. Wang, K. Misiakos, A. Neuroschel. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf 37, 1341 (1990)
- J.G. Fossum, R.P. Mertens, D.S. Lee, J.F. Nijs. Sol. St. Electron., \bf 26, 569 (1983)
- J. Dziewior, W. Schmid. Appl. Phys. Lett., \bf 31, 346 (1977)
- P.A. Iles, S.I. Soclof. \it 11th IEEE Photovolt. Spec. Conf. Record (1975) p. 19.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук