Вышедшие номера
Оценка эффективного уменьшения ширины запрещенной зоны в сильно легированных слоях кремниевых структур
Мнацаканов Т.Т.1, Поморцева Л.И.1, Яковлев Д.Г.1
1Всероссийский электротехнический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 4 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

В рамках подхода, использующего результаты измерения характеристик транзисторных структур, получена оценка эффективной величины уменьшения ширины запрещенной зоны Delta Eg в сильно легированных слоях кремния. Особое внимание уделено последовательному учету электронно-дырочного рассеяния при выводе соотношений, с помощью которых определяется величина Delta Eg. С использованием полученных соотношений проанализированы результаты работ, опубликованных к настоящему времени, и показано, что пренебрежение вкладом электронно-дырочного рассеяния приводит к уменьшению величины Delta Eg на 30-40 %. На основе полученных соотношений и предложенной ранее модели подвижности неосновных носителей заряда [22] обсуждается новая схема исследования основных электрофизических параметров сильно легированных слоев, времени жизни неосновных носителей заряда tau, подвижности неосновных носителей заряда mu и Delta Eg.