Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Быстрая термическая диффузия цинка в гетероструктуру GaAs/Al_xGa_1-xAs /GaAs

Абросимова В.Н.¹, Аветисян Л.Ф.¹, Вяткин А.Ф.¹, Дубровский Ю.В.¹, Пустовит А.Н.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 24 февраля 1994 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследован процесс быстрой термической диффузии Zn в GaAs n- и p-типа и в гетероструктуру GaAs/Al_xGa_1-xAs/GaAs из тонкопленочных оксидных источников (ZnO)_x(SiO₂)_1-x, сформированных методом центрифугирования из пленкообразующих растворов. Диффузия осуществлялась в среде N₂, в диапазоне температур 700-800 ^oC в течение 6-12 с. Глубина проникновения Zn в гетероструктуры составляла около 500 нм. Механизм диффузии Zn в структуру с гетеробарьером аналогичен механизму диффузии Zn в GaAs. Взаимная диффузия Al и Ga в гетеробарьере в рассмотренном диапазоне температур усилена диффузией Zn в режиме быстрой термической диффузии.

V. Quintana, J.J. Clemencon, A.K. Chin. J. Appl.Phys., \bf 63, 2454 (1988)
P. Gavrilovic, D.G. Deep, K. Meehan et. al. Appl. Phys. Lett., \bf 47, 130 (1985)
K. Nishiyama, M. Afai, N. Watanabe. Japan. J. Appl. Phys., \bf 20, 124 (1981)
N. Holonyak, W.D. Laidig, M.D. Camras, J.J. Coleman, P.D. Dapkus. Appl. Phys. Lett., \bf 39, 102 (1981)
А.И. Борисенко, В.Н. Коковина, Е.П. Трошина, Л.Ф. Чепик. ДАН СССР, \bf 262, 1409 (1982)
C.Lu Yicheng, T.S. Kalkur, C.A. Paz de Araujo. J. Electron. Mater, \bf 19, 29 (1990)
G. Rajeswaran, D.J. Lawrence, S.-Tong Lee, K.B. Kahen. \it Mater. Res. Soc. Symp. Proc. \bf 144, 551 (1990)
K.B. Kahen. Appl. Phys. Lett., 55, 2117 (1989)
S. Yu, T.Y. Tan, U. Gosele. J. Appl. Phys., \bf 69, 3547 (1991)
A. Usami, Y. Tokuda, H. Shiraki et. al. J. Appl. Phys., \bf 66, 3590 (1989)
E.V.K. Rao, H. Thibierge, F. Brillouet et. al. Appl. Phys. Lett., \bf 46, 867 (1985)
R.W. Kaliski, P. Gavrilovic, K. Meehan et. al. J. Appl. Phys., \bf 58, 101 (1985)
J.Gibert, P.M. Petroiff, D.J. werder et. al. Appl. Phys. Lett., \bf 49, 223 (1986)
S. tong Lee, G. Braunstein, P. Fellinger, G. Rajeswaran. \it Mater. Res. Soc. Symp. Proc., \bf 144, 489 (1989)
B. Elman, E.S. Koteles, P. Melman, C.A. Armiento. \it Mater. Res. Soc. Symp. Proc., \bf 144, 445 (1989)
L.G. Guido, N. Holonyak, K.C. Hsieh et. al. J. Appl. Phys., \bf 61, 1372 (1987)
J.D. Ralston, S.O. Brien, G.W. Wicks, L.F. Eastman. Appl. Phys. Lett., \bf 52, 1511 (1988)
W.D. Laidig, N Holonyak, M.D. Camras et. al. Appl. Phys. Lett., \bf 38, 776 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель