Вышедшие номера
Электронно-лучевая диагностика приповерхностных квантово-размерных p-n-переходов в кремнии
Андронов А.Н.1, Баграев Н.Т.1, Клячкин Е.Л.1, Робозеров С.В.1, Фараджев Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Для изучения квантово-размерных p+-n-переходов в кремнии, полученных в условиях неравновесной диффузии, использовано зондирование приповерхностной области электронами малых и средних энергий. Исследована энергетическая зависимость коэффициента радиационной проводимости в образцах, различающихся глубиной диффузионного профиля и уровнем легирования. На основании экспериментальных данных определено распределение по глубине кристалла вероятности разделения электронно-дырочных пар полем p-n-перехода. Для диодных структур, полученных при доминировании либо kick-out, либо диссоциативного вакансионного механизма примесной диффузии, обнаружен энергетический порог появления наведенного тока, свидетельствующий о том, что возбужденные вблизи границы диффузионного профиля неравновесные носители не учавствуют в создании тока во внешней цепи. Показано, что наиболее вероятной причиной этого эффекта является наличие в указанной области вторичных дефектов, ответственных за рекомбинацию возбужденных носителей и перераспределение электрического поля.