Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1994, выпуск 12 » Статья стр. 2065
>>>
Тепловые процессы в светодиодных гетероструктурах на основе GaInAsSb
Колчанова Н.М.1, Попов А.А.1, Сукач Г.А.1, Богословская А.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.
PDF версия
Рассмотрены механизмы релаксации избыточной тепловой энергии в одиночных и двойных гетероструктурах на основе GaInAsSb и роль энергетических барьеров в тепловых процессах. Показано, что при малых токах (I<30 мА) перегрев активной области происходит за счет разогрева электронного газа инжекционым током. При токах I>50 мА происходит разогрев всей фононной системы. При этих токах перегрев вызывает усиление влияния безызлучательной оже-рекомбинации. Усиление перегрева в двойных гетероструктурах по сравнению с одиночными гетероструктурами позволяет сделать вывод об особой важности рассмотренных механизмов разогрева при установлении режима работы лазерных диодов, росте значения порогового тока и срыве генерации в непрерывном режиме при комнатной температуре.
  1. А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, Е.А. Сидоренкова, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ, \bf 15, 71 (1989)
  2. А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ, \bf 12, 557 (1986)
  3. Н.М. Колчанова, А.А. Попов, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ, \bf 18, 40 (1992)
  4. А.Н. Баранов, Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ, \bf 18, 25 (1992)
  5. А.Н. Баранов, Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. \it Оптика лазеров'93. Тез. докл. (С.-Петербург, 1993) ч. 1
  6. И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, В.Г. Данильченко, М.А. Мирсагатов, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ, \bf 14, 986 (1988)
  7. A.N. Baranov, A.N. Imenkov, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev. SPIE, \bf 1724, 78 (1992)
  8. А.Н. Баранов, Ю.П. Яковлев, М.П. Михайлов, А.Н. Именков, А.И. Климентенок, В.Л. Шутов. Бумаж. пром--сть, вып. 9, 20 (1989)
  9. Н.М. Колчанова, А.А. Попов, А.Б. Богословская, Г.А. Сукач. Письма в ЖТФ, \bf 19, 5 (1993)
  10. А.Б. Богословская, Н.М. Колчанова, Ф.И. Маняхин, А.А. Попов, Г.А. Сукач. ФТП, \bf 27, 1574 (1993)
  11. В.И. Малахов, А.Г. Плявенок, Л.А. Ривлин, С.И. Филимонов. Квантовая электрон., \bf 15, 695 (1988)
  12. В. Дзенис, Ю. Пожела. Горячие электроны (Вильнюс, 1971)
  13. F. Karouta, H. Mani, J. Bhan, Jia Hua Pen, A, Joullie. Rev. Phys, Appl., \bf 22, 1459 (1987)
  14. Landolt-Bernstein. \it Numerical data and functional relationship in science and technology (1982) v. 17a
  15. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова. ФТП, 16, 1670 (1982)
  16. Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme